Étude sur l'amplificateur de puissance CMOS pour la communication sans fil

Avec l' volution des technologies modernes de communication sans fil, les amplificateurs de puissance RF deviennent un sujet br lant, car ils sont le composant cl des syst mes de communication mobile sans fil et la qualit de la communication d pend fortement de la performance des amplificateurs de puissance RF. Les syst mes modernes de communication sans fil tels que CDMA2000, WCDMA, OFDM, etc., sont destin s maximiser le d bit de donn es dans un environnement en mouvement rapide. Les signaux modul s de ces syst mes n cessitent la fois une bonne lin arit et une bonne efficacit , alors que les signaux ont un rapport puissance de cr te/puissance moyenne lev . La lin arit et l'efficacit sont donc deux des caract ristiques les plus importantes des amplificateurs de puissance pour les applications sans fil. R cemment, un nombre croissant de composants RF sont int gr s l'aide du processus CMOS afin de r pondre aux exigences de faible co t et de petite taille des march s de consommation sans fil. Cependant, l'amplificateur de puissance CMOS est difficile concevoir en raison de la faible tension de claquage, du substrat Si conducteur et de l'absence de via de masse. Tous ces l ments rendent la conception d'un amplificateur de puissance enti rement int gr extr mement difficile. Ce livre se concentre sur l'am lioration de l'efficacit et les techniques de lin arisation pour la conception d'amplificateurs de puissance CMOS.