Untersuchungen des elektrischen Widerstands von Metallchalkogenid-Halbleitern

Halbleiter sind die unbestrittenen S ulen der modernen Technologie. In den letzten zehn Jahren haben sich halbleitende Metalldichalcogenid-Schichten als vielversprechende Materialien f r eine breite Palette von Anwendungen in der Optoelektronik und Transistortechnologie herauskristallisiert. Aus diesem Grund ist die Kenntnis ihrer elektrischen Eigenschaften unter variablen Temperatur- oder Druckbedingungen f r solche Anwendungen wichtig. Dar ber hinaus ist die Erforschung von Materie unter extremen Bedingungen ein zentrales Thema in einem breiten Spektrum wissenschaftlicher Disziplinen (z. B. Materialwissenschaft, Chemie, Physik, Erd- und Planetenforschung). Im Hinblick auf diese Aspekte werden in diesem Buch verschiedene Methoden zur Kristallz chtung, experimentelle Hochdruckerzeugungsmethoden, Magnetowiderstandsstudien und die Messung des elektrischen Widerstands von Metallchalkogeniden bei hohem Druck und niedriger Temperatur beschrieben.