Uma Ferramenta de Estrutura Electrónica Para Principiantes

O condutor, semicondutor (band gap direto e indireto) e isolante desempenham um papel importante nas reas de investiga o de F sica e Materiais. Quase todos os materiais possuem algum tipo de propriedade eletr nica. Realizamos o c lculo para estudar a estrutura de bandas e a Densidade de Estado (DoS) utilizando o c digo WIEN no M todo da Teoria do Funcional da Densidade (DFT). Neste trabalho realizado o c lculo da estrutura de bandas para o mangan s (Mn), sil cio (Si) - band gap indirecto, ndio f sforo (In-P) band gap directo e bromo (Br) que concordam estreitamente com os resultados experimentais dispon veis. Al m disso, a partir do estudo da Densidade de Estado total e parcial do Mn, vSi, In-P e Br observa-se que os materiais s o Condutor, Semicondutor (gap de banda indireto e direto) e Isolador. Inicialmente a estrutura otimizada com os par metros de rede existentes e as propriedades eletr nicas s o determinadas para a estrutura otimizada. O perfil da banda e os histogramas de DoS sugerem a mobilidade dos eletr es da banda de val ncia para a banda de condu o. A lacuna de energia existente/n o existente entre a banda de val ncia e a banda de condu o explorada na natureza condutora dos materiais reportados.