Traitement des films PZT

Au cours des quatre derni res d cennies, le d veloppement de l'industrie micro lectronique a donn le ton la production de mat riaux ultra-minces (avec une microstructure nanom trique) et ultra-purs (sans impuret s ni d fauts) qui garantissent une augmentation de l'efficacit fonctionnelle de leurs parties avec le plus petit volume possible. L'objectif global de ce travail tait de synth tiser (d p t et recuit) des films ferro lectriques de titanate de plomb (PT) d pos s sur un substrat Pt/Ti/SiO2/Si . La m thode utilis e a t la CVD-AA pour les raisons mentionn es ci-dessus. En g n ral, dans ce type de films, le recuit est une tape n cessaire pour obtenir la phase p rovskite (ferro lectrique) souhait e. Le travail comprend leur analyse thermo-gravim trique respective et leur caract risation cristallographique et microstructurale. Parmi les r sultats obtenus, nous pouvons mentionner que les films pr sentent une bonne homog n it chimique et structurelle au niveau microm trique, les phases pr sentes dans les films correspondent celles souhait es, o les domaines ferro lectriques ont t observ s.