Techniques pour traiter la récupération des fuites en phase finale et la chute de tension dynamique

Cette monographie traite respectivement des probl mes li s la puissance de fuite, l'int grit de l'alimentation due aux cellules de r serve et la chute de tension maximale. La solution propos e s'inscrit dans le cadre de la conception physique, un stade proche de la finalisation, o les outils d'optimisation disposent de ressources limit es pour r soudre ces probl mes. Cependant, il existe un vaste champ d'action pour des travaux futurs dans d'autres domaines du spectre faible PM, tels que le niveau des circuits, le niveau architectural, le niveau de conception et le niveau de codage logiciel. La majorit des concepteurs de semi-conducteurs actuels ne sont pas int ress s par les techniques tr s r centes telles que les flux ECO de r seaux de portes utilisant des kits ECO fournis par les fournisseurs de biblioth ques, en raison des efforts n cessaires pour modifier les flux existants et des calendriers de conception serr s. La technique propos e d' attribution optimale d' tat peut aider r duire les fuites des cellules de r serve sans affecter les flux de conception, mais le passage ces nouvelles techniques contribuera r duire compl tement la puissance de fuite des cellules de r serve. Un autre domaine d' tude possible pour l'avenir consiste utiliser des biblioth ques de 65 nm, 45 nm, 32 nm et 28 nm pour la mise en oeuvre de diverses architectures flux de donn es intensif afin de valider la technique propos e de r duction s lective des glitches .