Photovoltaische Messungen an mit Mangan und Schwefel dotiertem Silizium

Die Untersuchung der elektrischen und der Lichtleitf higkeit sowie der optischen Absorptionsspektren von Silizium, das mit verschiedenen Verunreinigungen dotiert ist, ist im Hinblick auf die Entwicklung vielversprechender Proben von Silizium-Fotozellen mit erweiterter spektraler Empfindlichkeit, insbesondere im Infrarotbereich, von besonderem Interesse. In dieser Arbeit werden die Ergebnisse von Untersuchungen der Spektren der Lichtleitf higkeit sowie von elektrischen Messungen der Leerlaufspannung und des Kurzschlussstroms von einkristallinen Siliziumproben, die mit Mangan- und Schwefelverunreinigungen legiert sind, mit schichtweiser Entfernung der Oberfl che vorgestellt. Es wird auch ein berblick ber verschiedene Ans tze zur Steigerung der Effizienz der Photokonversion gegeben. Das Buch d rfte f r Forscher auf dem Gebiet der Festk rperphysik, Entwickler von Photozellen sowie f r Studenten der Halbleiterphysik von Interesse sein.