Otimização dos parâmetros eléctricos (CNTFET)

No setor da eletr nica, a procura por melhorias tecnol gicas tem vindo a aumentar constantemente. At agora, o sil cio tem sido o material mais popular para atender s demandas atuais. Contudo, o sil cio tem o seu pr prio conjunto de limites; circuitos integrados baseados em sil cio e o dimensionamento do projeto MOSFET de sil cio enfrentam quest es como efeito de tunelamento, impacto na espessura do xido de porta e assim por diante, o que levou ao desenvolvimento de materiais alternativos. O crescente interesse acad mico em nanotubos de carbono (CNTs) como um poss vel novo tipo de material eletr nico resultou em avan os substanciais na f sica dos CNT, incluindo propriedades bal sticas e n o bal sticas de transporte de el trons. O transporte de baixa polariza o em um nanotubo pode ser quase bal stico em dist ncias de v rias centenas de nan metros. Modelos estendidos de n vel de circuito que podem capturar fen menos de transporte de el trons bal sticos e n o bal sticos, incluindo efeitos el sticos, de espalhamento de f nons, deforma o e de tunelamento, foram criados para transistores CNT n o bal sticos. O efeito da espessura do xido da porta no desempenho de CNTFETs n o bal sticos foi investigado em nossa se o de resultados.