Optymalizacja parametrów elektrycznych (CNTFET)

W sektorze elektroniki zapotrzebowanie na doskonalenie technologiczne stale rośnie. Do tej pory najpopularniejszym materialem spelniającym obecne wymagania byl krzem. Jednakże krzem ma sw j wlasny zestaw ograniczeń; krzemowe uklady scalone i skalowanie konstrukcji krzemowych MOSFET- w stawiają czola takim problemom, jak efekt tunelowania, wplyw grubości tlenku bramki itd., co doprowadzilo do opracowania material w alternatywnych. Rosnące zainteresowanie naukowc w nanorurkami węglowymi (CNT) jako możliwym nowym typem materialu elektronicznego zaowocowalo znacznym postępem w fizyce CNT, w tym balistycznych i niebalistycznych wlaściwościach transportu elektron w. Transport o niskim odchyleniu w nanorurce może byc benearyczny balistyczny na odleglości kilkuset nanometr w. Dla niebalistycznych tranzystor w CNT stworzono rozszerzone modele na poziomie obwodu, kt re mogą wychwytywac zar wno balistyczne, jak i niebalistyczne zjawiska transportu elektron w, w tym efekty sprężystości, rozpraszania fonon w, odksztalceń i tunelowania. W naszej sekcji wynik w zbadaliśmy wplyw grubości tlenku bramki na dzialanie niebalistycznych CNTFET.