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Monolithischer Uberstromschutzschalter basierend auf 4H-SiC-Sperrschicht-FET-Technologie
Monolithischer Uberstromschutzschalter basierend auf 4H-SiC-Sperrschicht-FET-Technologie
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Monolithischer Uberstromschutzschalter basierend auf 4H-SiC-Sperrschicht-FET-Technologie

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Das vorliegende Buch widmet sich der Konzeptionierung, Realisierung und Charakterisierung eines neuartigen und selbstauslösenden Überstromschutzschalters für 900 V Gleichspannungsanwendungen auf Basis einer 4H-SiC-Sperrschicht-FET-Technologie. Es weist die besondere Eigenschaft auf, als 2-Pol-Leistungshalbleiterbauelement beim Erreichen eines gewissen Auslösestromwertes selbstständig von einem niederohmigen EIN-Zustand in einen sperrenden AUS-Zustand überzugehen und diesen zu halten.
Undertittel
Der inverse Thyristor
ISBN
9783658501518
Språk
Tysk
Utgivelsesdato
26.1.2026
Tilgjengelige elektroniske format
  • Epub - Adobe DRM
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