Modellierung der grundlegenden Parameter für nicht-konventionelle MOSFETs

In diesem Buch werden Kanal- und Gate-Techniken kombiniert, um neuartige Bauelementestrukturen zu bilden, die als Single-halo Dual Material Gate (SHDMG) und Double-halo Dual Material Gate (DHDMG) MOSFETs vorgeschlagen werden. Moderne MOSFETs sind aufgrund des komplexen Prozessablaufs ungleichm ig dotiert. Daher ist einer der Schl sselfaktoren f r die genaue Modellierung der charakteristischen Parameter die Modellierung des ungleichm igen Dotierungsprofils. In diesem Buch wird auch ein analytisches Modell f r das Oberfl chenpotential unterhalb der Schwelle, die Schwellenspannung, den Drainstrom und die Transkonduktanz auf der Grundlage der Drift-Diffusionstheorie f r lineare und auf einem Gau schen Profil basierende SHDMG- und DHDMG-n-MOSFETs vorgestellt, die bis zu 40 nm arbeiten. Ein auf Quasi-Fermi-Potential basierendes analytisches Modell des Drain-Stroms unterhalb der Schwelle f r lineare und auf Gau -Profil basierende SHDMG- und DHDMG-MOS-Transistoren, das auch die Streufelder an den beiden Enden des Bauelements ber cksichtigt, wird ebenfalls vorgeschlagen.