Les transistors MOSFET à diélectrique High-K propulsent l'évolution technologique

Les progr s de la technologie de fabrication high-k ont permis des avanc es consid rables dans l'industrie micro lectronique en am liorant les performances des transistors individuels et en permettant l'int gration d'un plus grand nombre de transistors sur une puce. Dans les ann es venir, le MOS haut pouvoir couvrant pourrait tre celui qui changera les sc narios sur la fa on dont les petits transistors peuvent tre fabriqu s. Les tudes sur ce dispositif devraient donc se poursuivre par des exp rimentations intensives. L'impact du di lectrique haut k (TiO2) est galement observ sur le transistor NMOS. On constate que le courant de fuite sous le seuil diminue avec l'augmentation de la tension de seuil, ce qui r duit la consommation d' nergie et am liore donc les performances du transistor NMOS. La r duction de la fuite de grille et de l'oscillation sous le seuil fait de la structure NMOS haut k une alternative solide pour les futurs dispositifs MOS l' chelle nanom trique. L'analyse permet galement de conclure qu' mesure que les dispositifs sont mis l' chelle, la tension de seuil diminue.