Leistungsverbesserung von SRAM FINFET mit verschiedenen Gate-Materialien

Dieses Buch beschreibt das SRAM-Entwurfskonzept in FinFET-Technologien unter Verwendung der einzigartigen Merkmale nicht-planarer Bauelemente mit doppeltem Gate. Der f r das Design von FinFETs erforderliche Parameterraum wird erforscht. Es wird eine Vielzahl von SRAM-Entwurfstechniken vorgestellt, die die Vorteile von Konfigurationen mit gebundenen und unabh ngigen Gates nutzen. SRAM-Leistung, -Leistung und -Stabilit t von FinFET-Bauelementen werden mit herk mmlichen planaren CMOS-Pendants verglichen. Die Modellierung der Variabilit t von FinFETs durch Statistiken wird ebenfalls vorgestellt. Der MOSFET-Baustein wurde sowohl mit Polysilizium als auch mit Molybd n als Gatematerial verglichen, und der FinFET-Baustein wurde mit verschiedenen Gatematerialien wie Gold, Wolfram, Tantal und Molybd n entworfen, und die Ergebnisse wurden mit den Bausteinen mit Polysilizium-Gatematerial verglichen.