Investigations sur l'évaluation des performances des systèmes CMOS VLSI

La progression de l'int gration tr s grande chelle permet de placer des milliards de transistors et de composants sur une seule puce semi-conductrice pour la mise en oeuvre de circuits complexes. La technologie r cente s'oriente vers la miniaturisation des dispositifs semi-conducteurs, qui pr sentent plusieurs inconv nients notables en mati re de dissipation de la chaleur, de consommation d' nergie, de surface de la puce et d'efficacit des dispositifs. Au fur et mesure que la technologie progresse vers le niveau submicronique, la taille des caract ristiques, la dissipation d' nergie due au courant de fuite augmente un rythme alarmant. De nombreuses projections montrent que la puissance de fuite deviendra analogue la dissipation de puissance dynamique dans les ann es venir; cependant, la puissance dynamique augmente galement et reste dominante. La solution optimale pour r soudre ces probl mes consiste analyser les performances des circuits VLSI con us l'aide de diff rentes technologies CMOS.