Gå direkte til innholdet
GaN HEMT Modeling Including Trapping Effects Based on Chalmers Model and Pulsed S-Parameter Measurements
Spar

GaN HEMT Modeling Including Trapping Effects Based on Chalmers Model and Pulsed S-Parameter Measurements

Forfatter:
Engelsk
Forfatter
Peng Luo
ISBN
9783736999060
Språk
Engelsk
Vekt
216 gram
Utgivelsesdato
9.1.2019
Forlag
Cuvillier
Antall sider
160