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Étude d'un MESFET-GaAs hyperfréquence et application en LNA 10GHz MMIC
Spar

Étude d'un MESFET-GaAs hyperfréquence et application en LNA 10GHz MMIC

Forfatter:
pocket, 2024
Fransk
Depuis des ann es, le transistor effet de champ (MESFET) fait avec l'Ars niure de Gallium (GaAs) se pr sente comme le composant le plus adapt des applications d'hyperfr quences et de commutation, ce choix est justifi par de remarquables performances telles que: un faible facteur de bruit (
ISBN
9786206723295
Språk
Fransk
Vekt
200 gram
Utgivelsesdato
16.9.2024
Antall sider
128