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Design und Entwicklung einer High-Electron-Mobility Transistor Technologie für Leistungsbauelemente zur Charakterisierung von epitaktisch gewachsenem Galliumnitrid auf 150 mm Si-Wafern
Spar

Design und Entwicklung einer High-Electron-Mobility Transistor Technologie für Leistungsbauelemente zur Charakterisierung von epitaktisch gewachsenem Galliumnitrid auf 150 mm Si-Wafern

Opplag
001
ISBN
9783746097817
Språk
Tysk
Vekt
264 gram
Utgivelsesdato
16.3.2018
Antall sider
176