CMOS-Technologie

Die Technologie wird immer kleiner; die gr te Herausforderung besteht darin, Differenzverst rker in Nanotechnologie mit den besten Leistungsparametern zu entwickeln. Die MOSFET-Technologie wird verkleinert, um die Leistungs-, Kosten- und Energieanforderungen der kommenden Anwendungen mit hohem Durchsatz zu erf llen. Die Skalierung herk mmlicher MOSFETs kann aufgrund unkontrollierbarer Kurzkanaleffekte und berm iger Schwellenspannungsschwankungen schwierig sein, wenn der Technologieknoten weiter entfernt ist. Daher wurden neuartige Transistorstrukturen untersucht, um eine weitere Skalierung zu erm glichen. CNFET und FinFET haben ein gro es Potenzial, die bestehende Bulk-MOSFET-Technologie in Zukunft zu ersetzen. Als eines der vielversprechenden neuen Bauelemente beseitigt der CNFET die meisten der grundlegenden Beschr nkungen herk mmlicher Silizium-Bauelemente. FinFET ist die attraktivste Wahl unter den Doppel-Gate-Transistorarchitekturen, da sich die beiden Gates selbst ausrichten und die Herstellungsschritte denen der bestehenden Standard-MOSFET-Technologie hneln.