?????????? ? ??????? ????????????? ? ???и

Моделирование и оптимизация эффективности преобразования энергии фотоэлектрических элементов на основе полупроводников, таких как кремний (Si) или арсенид галлия (GaAs), является одной из задач и проблем научных исследований. В данной книге приводится аналитическое и численное исследование фотоэлектрического элемента для расчета плотности тока и оценки эффективности преобразования энергии. Это исследование позволяет получить доступ к различным электрическим и физическим параметрам, характеризующим явление электропроводности, таким как ток короткого замыкания, напряжение открытого замыкания, время жизни минорных носителей, скорость поверхностной рекомбинации, легирование и т.д..