???????????? ????????????? ???????????&#

В данной книге основное внимание уделено моделированию и изучению влияния обедненных слоев вокруг областей истока и стока на подпороговые характеристики короткоканального МОП-транзистора с равномерно легированным каналом. Была разработана аналитическая модель для подпорогового поверхностного потенциала в короткоканальном МОП-транзисторе путем решения уравнения Пуассона в псевдо-2D, сформулированного с применением закона Гаусса к прямоугольному ящику в канале, охватывающему всю глубину обедненного слоя. Модель позволила предсказать увеличение влияния обедненных областей переходов при меньшей длине канала и/или более высоких напряжениях смещения сток-исток за счет увеличения совместного использования заряда. Эта же модель применяется для определения подпорогового поверхностного потенциала для МОП-транзисторов Double Halo. Уменьшение размеров прибора приводит к уменьшению толщины оксида затвора. В результате возникает нежелательный эффект горячих электронов и увеличивается ток туннелирования затвора. Для устранения этого недостатка вместо диоксида кремния в качестве изолирующего материала под затвором используется высококристаллический материал. Проведенное моделирование окажется полезным и поможет в дальнейшей исследовательской работе.