Tecnologias da informação através de transições de fase topotácticas

Os dispositivos memr sticos redox, impulsionados pela migra o de oxig nio, s o promissores para o futuro armazenamento de dados. As estruturas de Brownmillerite, como SrCoO2.5 e SrFeO2.5, permitem transi es de fase topot cticas revers veis, optimizando a comuta o redox e resistiva em dispositivos memr sticos. Os desafios das pel culas finas de SrCoO2.5 s o abordados com SrFeO2.5 atomicamente plano, demonstrando um melhor desempenho. O crescimento epitaxial em SrTiO3 orientado para 111] melhora a migra o controlada de i es de oxig nio, alcan ando uma elevada resist ncia e comuta o r pida. A espetroscopia de absor o de raios X revela o papel da transi o de fase baseada em redox, e os dispositivos orientados para (111) apresentam transi es localizadas. Os dispositivos SrFeO2.5 (111) demonstram uma promissora funcionalidade de mem ria sin ptica, contribuindo para um modelo de rede neural com uma precis o de 90% na identifica o de n meros escritos m o.