Siirry suoraan sisältöön
Research on the Radiation Effects and Compact Model of SiGe HBT
Tallenna

Research on the Radiation Effects and Compact Model of SiGe HBT

Kirjailija:
sidottu, 2017
englanti
This book primarily focuses on the radiation effects and compact model of silicon-germanium (SiGe) heterojunction bipolar transistors (HBTs).
Kirjailija
Yabin Sun
Painos
1st ed. 2018
ISBN
9789811046117
Kieli
englanti
Paino
446 grammaa
Julkaisupäivä
2.11.2017
Sivumäärä
168