Recobrimentos depositados por Solution Plasma Spray

Comp sitos de Carbono/Carbono (C/C) s o amplamente utilizados em componentes termoestruturais, principalmente pelo setor aeroespacial. Entretanto, o carbono possui baixa resist ncia em ambientes ablativos, limitando sua aplica o em sistemas de prote o t rmica. Este problema pode ser superado protegendo o comp sito com camadas de passiva o a base de materiais cer micos de baixa efici ncia catal tica em rea es com oxig nio e nitrog nio em elevadas temperaturas. Neste contexto, este trabalho tem como objetivo principal a s ntese de recobrimentos espessos com gradiente composicional entre SiO2/SiC depositados sobre comp sitos C/C utilizando um novo processo chamado High Velocity Solution Plasma Spray (HVSPS). Estes recobrimentos s o formados a partir de rea es entre o comp sito C/C e a solu o coloidal de Si(OH)4 aspergida por jato de plasma supers nico gerado por uma tocha de corrente cont nua. A tocha de plasma possui uma concep o distinta das tochas convencionais, elevando o tempo de intera o com regi es de plasma em elevadas temperaturas.