Réalisation et étude de structure en couches minces

Ce livre est consacr l' tude de la cristallisation des couches minces de silicium amorphe induit par un m tal: Nickel. La diffusion du nickel dans les couches minces de silicium est recherch e de fa on conduire la formation de siliciure de Ni qui a permis de cristalliser le silicium amorphe en couche mince qui a t d pos e par la technique PECVD.Dans un premier temps nous avons pr sent le silicium comme mati re de base, le silicium poreux ainsi que les diff rentes m thodes de croissance des couches minces et leurs techniques de cristallisation.Dans un second temps nous avons pr sent en d taille les conditions de pr paration des chantillons:1. Elaboration du silicium poreux par la m thode d'anodisation lectrochimique.2. M tallisation su silicium poreux par une solution de Nickel de concentration bien d terminer (Dip-coting).3. D p t d'une couche de a-si: H par la technique PECVD.4. La cristallisation des chantillons a t r alis e dans un four RTP.Dans la partie suivante de ce livre nous sommes int ress e l' tude des couches minces de a-Si: H m tallis par Ni.