R?alisation d'un amplificateur hyperfr?quence pour les syst?mes 5G

Afin de r pondre la demande croissante du nombre d'objets et services connect s et de d bits de donn es plus lev s, la cinqui me g n ration de r seau mobile (5G) va tre d ploy e. Dans ce travail, la conception d'un amplificateur hyperfr quence en technologie microruban pour les syst mes de communication 5G est pr sent e. L'amplificateur faible bruit propos est bas sur un transistor effet de champ ATF13786 d'Agilent Technologies (hp). Les r seaux de polarisation et d'adaptation sont mis en oeuvre en utilisant des lignes de transmission microruban. La conception a t fabriqu e sur un PCB apr s avoir utilis le logiciel de conception (ADS). L'amplificateur propos montre d'excellentes performances en termes d'adaptation d'imp dance, de gain de puissance et de stabilit inconditionnelle sur la bande passante d'exploitation allant de 3,3 GHz 3,7 GHz. 3,5 GHz, Les r sultats montrent que l'amplificateur mod lis a un gain sup rieur 10 dB, un facteur de bruit inf rieur 2 dB, des coefficients de r flexion d'entr e et de sortie inf rieurs -10 dB et une stabilit inconditionnelle.