Tallenna
Radiation Effects in Silicon Carbide
Lue Adobe DRM-yhteensopivassa e-kirjojen lukuohjelmassaTämä e-kirja on kopiosuojattu Adobe DRM:llä, mikä vaikuttaa siihen, millä alustalla voit lukea kirjaa. Lue lisää
The book reviews the most interesting, in the author's opinion, publications concerned with radiation defects formed in 6H-, 4H-, and 3C-SiC under irradiation with electrons, neutrons, and some kinds of ions. The electrical parameters that make SiC a promising material for applications in modern electronics are discussed in detail. Keywords: Silicon Carbide, Defects, Carrier Recombination, Annealing, Detectors, Electron Irradiation, Neutron Irradiation, Ion Irradiation.
- Kirjailija
- A.A Lebedev
- ISBN
- 9781945291111
- Kieli
- englanti
- Julkaisupäivä
- 1.1.2017
- Kustantaja
- Materials Research Forum LLC
- Formaatti
- PDF - Adobe DRM
- Lue e-kirjoja täällä
- Lue e-kirja mobiililaitteella/tabletilla
- Lukulaite
- Tietokone
