Ottimizzazione dei parametri elettrici (CNTFET)

Nel settore dell'elettronica la domanda di miglioramento tecnologico in costante aumento. Fino ad ora, il silicio stato il materiale pi popolare per soddisfare le attuali richieste. Tuttavia, il silicio ha i suoi limiti; I circuiti integrati a base di silicio e la scalabilit della progettazione dei MOSFET in silicio affrontano problemi come l'effetto tunnel, l'impatto sullo spessore dell'ossido di gate e cos via, che ha spinto allo sviluppo di materiali alternativi. Il crescente interesse accademico per i nanotubi di carbonio (CNT) come possibile nuovo tipo di materiale elettronico ha portato a progressi sostanziali nella fisica dei CNT, comprese le propriet balistiche e non balistiche di trasporto degli elettroni. Il trasporto a bassa polarizzazione in un nanotubo pu essere quasi balistico su distanze di diverse centinaia di nanometri. Per i transistor CNT non balistici sono stati creati modelli estesi a livello di circuito in grado di catturare fenomeni di trasporto di elettroni sia balistici che non balistici, inclusi effetti elastici, di diffusione fononica, di deformazione e di tunneling. L'effetto dello spessore dell'ossido di gate sulle prestazioni dei CNTFET non balistici stato studiato nella nostra sezione dei risultati.