Siirry suoraan sisältöön
Novel Three-state Quantum Dot Gate Field Effect Transistor
Novel Three-state Quantum Dot Gate Field Effect Transistor
Tallenna

Novel Three-state Quantum Dot Gate Field Effect Transistor

Lue Adobe DRM-yhteensopivassa e-kirjojen lukuohjelmassaTämä e-kirja on kopiosuojattu Adobe DRM:llä, mikä vaikuttaa siihen, millä alustalla voit lukea kirjaa. Lue lisää
The book presents the fabrication and circuit modeling of quantum dot gate field effect transistor (QDGFET) and quantum dot gate NMOS inverter (QDNMOS inverter). It also introduces the development of a circuit model of QDGFET based on Berkley Short Channel IGFET model (BSIM). Different ternary logic circuits based on QDGFET are also investigated in this book. Advanced circuit such as three-bit and six bit analog-to-digital converter (ADC) and digital-to-analog converter (DAC) were also simulated.
Alaotsikko
Fabrication, Modeling and Applications
ISBN
9788132216353
Kieli
englanti
Julkaisupäivä
20.11.2013
Kustantaja
Springer India
Formaatti
  • PDF - Adobe DRM
Lue e-kirjoja täällä
  • Lue e-kirja mobiililaitteella/tabletilla
  • Lukulaite
  • Tietokone