Siirry suoraan sisältöön
Nonvolatile Memory Design
Nonvolatile Memory Design
Tallenna

Nonvolatile Memory Design

Lue Adobe DRM-yhteensopivassa e-kirjojen lukuohjelmassaTämä e-kirja on kopiosuojattu Adobe DRM:llä, mikä vaikuttaa siihen, millä alustalla voit lukea kirjaa. Lue lisää
The manufacture of flash memory, which is the dominant nonvolatile memory technology, is facing severe technical barriers. So much so, that some emerging technologies have been proposed as alternatives to flash memory in the nano-regime. Nonvolatile Memory Design: Magnetic, Resistive, and Phase Changing introduces three promising candidates: phase-change memory, magnetic random access memory, and resistive random access memory. The text illustrates the fundamental storage mechanism of these technologies and examines their differences from flash memory techniques. Based on the latest advances, the authors discuss key design methodologies as well as the various functions and capabilities of the three nonvolatile memory technologies.
Alaotsikko
Magnetic, Resistive, and Phase Change
Kirjailija
Hai Li, Yiran Chen
ISBN
9781439807460
Kieli
englanti
Julkaisupäivä
19.12.2017
Kustantaja
CRC PRESS
Formaatti
  • PDF - Adobe DRM
Lue e-kirjoja täällä
  • Lue e-kirja mobiililaitteella/tabletilla
  • Lukulaite
  • Tietokone