Misure fotovoltaiche del silicio drogato con manganese e zolfo

Lo studio della fotoconduttivit elettrica e degli spettri di assorbimento ottico del silicio drogato con varie impurit di particolare interesse per lo sviluppo di promettenti campioni di fotocellule al silicio con sensibilit spettrale estesa, in particolare nella regione dell'infrarosso. In questo lavoro vengono presentati i risultati degli studi sugli spettri della fotoconduttivit , nonch le misure elettriche della tensione a vuoto e della corrente di cortocircuito di campioni di silicio monocristallino, legati con impurit di manganese e zolfo con rimozione strato per strato della superficie. Viene inoltre fornita una rassegna di vari approcci per aumentare l'efficienza della fotoconversione. Il libro pu interessare i ricercatori nel campo della fisica dello stato solido, gli sviluppatori di fotocellule e gli studenti di fisica dei semiconduttori.