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Kosten Und Stromverbrauch Der Neuen Mram-Speichertechnologie
Tallenna

Kosten Und Stromverbrauch Der Neuen Mram-Speichertechnologie

pokkari, 2025
saksa
Der Stromverbrauch des Hauptspeichers hat einen erheblichen Einfluss auf die Leistung des Mikroprozessorsystems. Die aus der vom Hauptspeicher verbrauchten Energie erzeugte Leistung ist eine der kritischen Einschr nkungen der Mikroprozessorleistung. Dies ist insbesondere bei tragbaren Computerger ten und eingebetteten Computern wie Mobiltelefonen, PDAs und Laptops zu beobachten.Magnetic RAM (MRAM) ist eine neue Speichertechnologie, die die hohe Geschwindigkeit von Static RAM (SRAM) mit den Zugriffs-, Dichte- und Kostenmerkmalen von DRAM kombiniert. SRAM ist eine nichtfl chtige Speichertechnologie, die Daten in ihren Zellen ohne Vorladung speichert. Sie wird haupts chlich als Cache in Computern verwendet. MRAM nutzt Magnetismus, um Datenbits zu speichern. Es nutzt die magnetische Polarit t einer d nnen ferromagnetischen Schicht, um Daten zu speichern. Elektrizit t wird verwendet, um die magnetische Polarit t seiner Zelle zu schalten.
ISBN
9786208757588
Kieli
saksa
Paino
82 grammaa
Julkaisupäivä
22.3.2025
Sivumäärä
52