Irradiation électronique MeV des hétérostructures de Si

La g n ration de d fauts de rayonnement par irradiation d' lectrons MeV de haute nergie de la structure Si-SiO2 de type n et p avec diff rents types d'oxydes a t tudi e. Les changements morphologiques de l'oxyde de SiO2 pendant l'irradiation d' lectrons MeV ont t observ s par l'AFM. Les structures Si-SiO2 implant es avec des ions Si+ avant et apr s l'irradiation d' lectrons MeV sont pr sent es. La redistribution des atomes d'oxyg ne et de silicium et la g n ration de nanocristaux de Si pendant l'irradiation d' lectrons MeV ont t observ es par les techniques RBS/C et AFM respectivement. Les propri t s optiques, la photoluminescence et les tudes spectroscopiques des films de SiOx irradi s par des lectrons MeV sont galement pr sent es.