Siirry suoraan sisältöön
GaN HEMT Modeling Including Trapping Effects Based on Chalmers Model and Pulsed S-Parameter Measurements
Tallenna

GaN HEMT Modeling Including Trapping Effects Based on Chalmers Model and Pulsed S-Parameter Measurements

Kirjailija:
englanti
Kirjailija
Peng Luo
ISBN
9783736999060
Kieli
englanti
Paino
216 grammaa
Julkaisupäivä
9.1.2019
Kustantaja
Cuvillier
Sivumäärä
160