Études et caractérisation des couches minces de ZnS

Les semi-conducteurs compos s II-VI sont d'une grande importance en raison de leur application dans divers dispositifs lectro-optiques. Les films minces de ZnS trouvent de nombreuses autres applications dans le domaine de la fabrication de dispositifs opto lectroniques tels que les diodes mettrices de lumi re UV, les diodes mettrices de lumi re bleue, les crans plats missifs, les dispositifs lectroluminescents et les rev tements antireflets dans la technologie des cellules solaires. Plusieurs m thodes ont t utilis es pour pr parer des films minces de ZnS. Nous avons d pos des films de ZnS par la m thode de d p t en bain chimique en utilisant de l'hydroxyde de sodium comme agent complexant. Les caract ristiques structurelles et morphologiques des films ont t tudi es par diffraction des rayons X (XRD) et au microscope lectronique balayage. La diffraction des rayons X montre que le film d pos est de nature polycristalline avec une structure cubique. La taille des grains est estim e entre 35 et 70 nm. La cristallinit du film de ZnS a t analys e par HRTEM l'aide du sch ma de diffraction lectronique. Les films pr sentent de bonnes propri t s optiques avec une transmittance lev e dans la r gion visible et la valeur de la bande interdite est de 3,3 eV - 2,1 eV. Les films de ZnS peuvent tre utilis s comme couches tampons sur les cellules solaires CdTe.