Étude d'un MESFET-GaAs hyperfréquence et application en LNA 10GHz MMIC

Depuis des ann es, le transistor effet de champ (MESFET) fait avec l'Ars niure de Gallium (GaAs) se pr sente comme le composant le plus adapt des applications d'hyperfr quences et de commutation, ce choix est justifi par de remarquables performances telles que: un faible facteur de bruit (