Étude du potentiel de surface sous le seuil des MOSFETs

Dans ce livre, l'accent a t mis sur la mod lisation et l'influence des couches de d pl tion autour des r gions de source et de drain sur les caract ristiques de sous-seuil d'un transistor MOS canal court avec un canal uniform ment dop . Un mod le analytique pour le potentiel de surface sous le seuil dans un transistor MOS canal court a t d velopp en r solvant l' quation de Poisson pseduo-2D, formul e en appliquant la loi de Gauss une bo te rectangulaire dans le canal couvrant toute la profondeur de la couche d'appauvrissement. Le mod le a permis de pr dire une influence accrue des r gions de d pl tion de la jonction pour une longueur de canal plus petite et/ou des tensions de polarisation drain/source plus lev es, en raison d'un partage accru des charges. Le m me mod le est appliqu pour d terminer le potentiel de surface sous le seuil pour les MOSFET double halo. La r duction des dimensions du dispositif entra ne une diminution de l' paisseur de l'oxyde de grille. Il en r sulte un effet ind sirable d' lectrons chauds et une augmentation du courant de tunnel de la grille. Afin de rem dier cet inconv nient, des mat riaux High-K sont utilis s la place du dioxyde de silicium comme mat riau isolant sous la grille. Cette mod lisation s'av rera b n fique et contribuera d'autres travaux de recherche l'avenir.