Engenharia de Defeitos em Semicondutores de gap Largo

Os defeitos em semicondutores acarretam mudan as nas propriedades f sicas do material, tendo uma grande import ncia nos semicondutores que possuem alta energia de gap devido possibilidade de aplica o em alta temperatura. No presente trabalho, estudamos as caracter sticas atribu das presen a de defeitos em diferentes semicondutores de gap largo, crescidos/sintetizados por rea o de estado s lido, m todo de Pechini e epitaxia de feixes moleculares. Este trabalho evidencia a import ncia da engenharia de defeitos em semicondutores de gap largo para o aperfei oamento de tecnologias ligadas rea de optoeletr nica e spintr nica.