Energielücke einer Halbleiterdiode - Experiment

Es gibt eine kurze Zusammenfassung dar ber, wie Energiel cken gefunden werden und welche Anwendungen sie haben. Die Elektronendichte ist viel gr er als die Lochdichte im Halbleiter vom n-Typ, dargestellt als ne nh, w hrend die Lochdichte im Halbleiter vom p-Typ viel gr er ist gr er als die Elektronendichte: nh ne.In einem Halbleiter vom n-Typ liegt das Donatorenergieniveau nahe am Leitungsband und entfernt vom Valenzband. Im p-Typ-Halbleiter hingegen liegt das Energieniveau des Akzeptors nahe am Valenzband und vom Leitungsband entfernt.Die im p-Typ-Halbleiter hinzugef gte Verunreinigung sorgt f r zus tzliche L cher, die als Akzeptoratome bekannt sind, w hrend die im n-Typ-Halbleiter hinzugef gte Verunreinigung zus tzliche Elektronen liefert, die als Donoratome bezeichnet werden.Das Fermi-Niveau des n-Typ-Halbleiters liegt zwischen dem Donor-Energieniveau und dem Leitungsband, w hrend das des p-Typ-Halbleiters zwischen dem Akzeptor-Energieniveau und dem Valenzband liegt.Im p-Typ-Halbleiter bewegen sich die Mehrheitstr ger vom h heren zum niedrigeren Potenzial, im Gegensatz zum n-Typ, wo sich die Mehrheitstr ger vom niedrigeren zum h heren Potenzial bewegen.