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Design und Entwicklung einer High-Electron-Mobility Transistor Technologie für Leistungsbauelemente zur Charakterisierung von epitaktisch gewachsenem Galliumnitrid auf 150 mm Si-Wafern
Tallenna

Design und Entwicklung einer High-Electron-Mobility Transistor Technologie für Leistungsbauelemente zur Charakterisierung von epitaktisch gewachsenem Galliumnitrid auf 150 mm Si-Wafern

Kirjailija
Martin Schuster
Painos
001
ISBN
9783746097817
Kieli
saksa
Paino
264 grammaa
Julkaisupäivä
16.3.2018
Sivumäärä
176