Déposition des couches minces par pulvérisation

Ce livre porte sur l' tude de d p t de couches minces par la pulv risation cathodique qui pr sente la partie la plus utilis e dans le processus de d p t physique en phase vapeur PVD (physical vapor deposition).La pulv risation est caract ris par un rendement de pulv risation Y qui d pend de plusieurs param tr s, en particulier I' nergie des ions pulv ris s en incidence normale et avec une variation de l'angle. Nos recherches sont envisag es dans une premi re tape pour calculer Y de trois m taux: le cuivre, l'argent et l'aluminium. Ces derniers entrent en collision avec des ions d'argon, du x non, et de N on en utilisant un logiciel hautement d velopp appel SRIM (Stopping and Range of Ions in Matter) en incidence normale, puis avec des angles varies.L' nergie et le nombre de particules arrivant au substrat au cours du d p t physique en phase vapeur (PVD) sont aussi en troite relation avec divers param tres. Dans ce travail, nous pr sentons l'influence de la distance cible-substrat et la pression de gaz dans le proc d de pulv risation de couches d pos es de m taux (Cu, Al et Ag) et de semiconducteurs (Ge, Te et Si)