Siirry suoraan sisältöön
Deep Level Defects in Electron-Irradiated Aluminum Gallium Nitride Grown by Molecular Beam Epitaxy
Tallenna

Deep Level Defects in Electron-Irradiated Aluminum Gallium Nitride Grown by Molecular Beam Epitaxy

Kirjailija:
pokkari, 2012
englanti
ISBN
9781286861233
Kieli
englanti
Paino
295 grammaa
Julkaisupäivä
26.10.2012
Kustantaja
Biblioscholar
Sivumäärä
206