Um estudo sobre o amplificador de potência CMOS para comunicação sem fios

medida que a moderna tecnologia de comunica o sem fios evolui, os amplificadores de pot ncia (PAs) de RF tornam-se um tema quente, porque s o o componente-chave dos sistemas de comunica o m vel sem fios e a qualidade da comunica o depende fortemente do desempenho dos PAs de RF. Os sistemas de comunica o sem fios modernos, como o CDMA2000, WCDMA, OFDM, etc., destinam-se a maximizar a velocidade de transmiss o de dados num ambiente em r pida evolu o. Os sinais modulados destes sistemas requerem uma boa linearidade e efici ncia, ao mesmo tempo que os sinais t m um elevado r cio entre o pico e a pot ncia m dia. Assim, a linearidade e a efici ncia s o duas das carater sticas mais importantes dos PAs para aplica es sem fios. Recentemente, um n mero crescente de componentes de RF est a ser integrado utilizando o processo CMOS para satisfazer os requisitos de baixo custo e pequenas dimens es nos mercados de consumo sem fios. No entanto, o amplificador de pot ncia CMOS dif cil de projetar devido baixa tens o de rutura, ao substrato condutor de Si e falta de liga o terra. Tudo isto torna a conce o de um PA totalmente integrado extremamente dif cil. Este livro centra-se no aumento da efici ncia e nas t cnicas de lineariza o para o projeto de amplificadores de pot ncia CMOS.