Studien und Charakterisierung von ZnS-Dünnschichten

Die II-VI-Verbindungshalbleiter sind aufgrund ihrer Anwendung in verschiedenen elektro-optischen Ger ten von gro er Bedeutung. D nne ZnS-Schichten finden viele weitere Anwendungen im Bereich der Herstellung optoelektronischer Ger te wie UV-Leuchtdioden, blaue Leuchtdioden, emittierende Flachbildschirme, Elektrolumineszenzger te und Antireflexionsbeschichtungen in der Solarzellentechnik. F r die Herstellung von ZnS-D nnschichten wurden verschiedene Methoden angewandt. Wir haben ZnS-Filme mit der Methode der chemischen Badabscheidung unter Verwendung von Natriumhydroxid als Komplexbildner abgeschieden. Die strukturellen und morphologischen Eigenschaften der Filme wurden mit R ntgenbeugung (XRD) und dem Rasterelektronenmikroskop untersucht. Das XRD zeigt, dass die abgeschiedene Schicht polykristallin ist und eine kubische Struktur aufweist. Die Korngr e liegt sch tzungsweise im Bereich von 35-70 nm. Die Kristallinit t des ZnS-Films wurde mittels HRTEM mit Hilfe des Elektronenbeugungsmusters analysiert. Die Filme zeigen gute optische Eigenschaften mit hoher Durchl ssigkeit im sichtbaren Bereich und die Bandl cke wurde mit 3,3 eV - 2,1 eV bestimmt. ZnS-Filme k nnen als Pufferschichten auf CdTe-Solarzellen verwendet werden.