Spara
Radiation Effects in Silicon Carbide
Läs i Adobe DRM-kompatibel e-boksläsareDen här e-boken är kopieringsskyddad med Adobe DRM vilket påverkar var du kan läsa den. Läs mer
The book reviews the most interesting, in the author's opinion, publications concerned with radiation defects formed in 6H-, 4H-, and 3C-SiC under irradiation with electrons, neutrons, and some kinds of ions. The electrical parameters that make SiC a promising material for applications in modern electronics are discussed in detail. Keywords: Silicon Carbide, Defects, Carrier Recombination, Annealing, Detectors, Electron Irradiation, Neutron Irradiation, Ion Irradiation.
- Författare
- A.A Lebedev
- ISBN
- 9781945291111
- Språk
- Engelska
- Utgivningsdatum
- 2017-01-01
- Tillgängliga elektroniska format
- PDF - Adobe DRM
- Läs e-boken här
- E-boksläsare i mobil/surfplatta
- Läsplatta
- Dator
