Lacune énergétique d'une diode semi-conductrice - Expérience

Il donne un bref r sum de la fa on dont l' cart nerg tique est trouv et de leurs applications. La densit lectronique est bien sup rieure la densit de trous dans le semi-conducteur de type n repr sent par ne nh alors que, dans le semi-conducteur de type p, la densit de trous est beaucoup plus grande. sup rieure la densit lectronique: nh ne.Dans un semi-conducteur de type n, le niveau d' nergie du donneur est proche de la bande de conduction et loign de la bande de valence. Dans le semi-conducteur de type p, le niveau d' nergie de l'accepteur est proche de la bande de valence et loign de la bande de conduction.L'impuret ajout e dans le semi-conducteur de type p fournit des trous suppl mentaires appel s atomes accepteurs, tandis que dans le semi-conducteur de type n, l'impuret fournit des lectrons suppl mentaires appel s atomes donneurs.Le niveau de Fermi du semi-conducteur de type n se situe entre le niveau d' nergie du donneur et la bande de conduction tandis que celui du semi-conducteur de type p se situe entre le niveau d' nergie de l'accepteur et la bande de valence.Dans le semi-conducteur de type p, les porteurs majoritaires se d placent d'un potentiel sup rieur un potentiel inf rieur, contrairement au type n o les porteurs majoritaires se d placent d'un potentiel inf rieur un potentiel sup rieur.