???-??????????? ? ???????????? High-K ????????

Достижения в технологии изготовления high-k позволили добиться огромного прогресса в микроэлектронной промышленности, как за счет улучшения характеристик отдельных транзисторов, так и за счет возможности интеграции большего количества транзисторов в чип. В ближайшие годы МОП с high-k могут изменить сценарии создания транзисторов малого размера. Поэтому исследования этого устройства должны продолжаться с интенсивными экспериментами. Влияние высококристаллического диэлектрика (TiO2) также наблюдается на NMOS-транзисторе. Обнаружено, что подпороговый ток утечки уменьшается с увеличением порогового напряжения; это снижает потребляемую мощность и, таким образом, улучшает характеристики NMOS-транзистора. Снижение утечки на затворе и подпорогового размаха делает высококристаллическую NMOS-структуру сильной альтернативой для будущих наноразмерных MOS-устройств. Из анализа также можно сделать вывод, что по мере уменьшения масштаба устройств пороговое напряжение снижается.