DPM-Studie in verschiedenen dotierten Nanopartikeln von SAC305 Pb-freiem Lötmittel

Die Einbindung von Nanopartikeln in das bleifreie Lot, die Flugbahn der Nanopartikel w hrend des L tprozesses muss berwacht werden, da sie die Bildung der Kehlnahth he, der IMC-Schicht (inter-metallic compound) und die Bildung von Mikroporen beeinflusst. In der aktuellen Studie werden die Wechselwirkungen zwischen den Nanopartikeln und dem geschmolzenen Lot mit Hilfe der Volume-of-Fluid-Methode (VOF) und der Discrete-Phase-Methode (DPM) ber cksichtigt. Bei den nano-verst rkten Partikeln, die in das SAC305-Lot eingebracht werden, handelt es sich um Titanoxid- (TiO2), Nickeloxid- (NiO) und Eisen(III)-oxid- (Fe2O3)-Nanopartikel mit einem ungef hren Durchmesser von ≈20nm bei unterschiedlichen Gewichtsprozenten von 0,01, 0,05 und 0,15 Gew.-% f r die Anwendung in ultrafeinen Kondensatoren vom Typ 01005. Es wurden sowohl experimentelle als auch Simulationsstudien durchgef hrt, um die G ltigkeit der neuen DPM-basierten Simulation zu vergleichen. Die aus dem Experiment gewonnenen Ergebnisse k nnen die Verteilung der Nanopartikel am Ende des Reflow-Prozesses effektiv visualisieren. Die DPM-Simulation hingegen ist in der Lage, die detaillierte Flugbahn der Nanopartikel w hrend des thermischen Reflow-Prozesses SAC305 darzustellen.