Développement, conception et analyse d'un nanosystème hétéro-contraint de type II

Ce livre tudie l'avancement et l'analyse des transistors effet de champ cylindriques canal d form (CGAA). L' tude explore une conception l' chelle nanom trique incorporant trois couches d form es ultrafines: deux couches ext rieures de silicium d form (s-Si) et une couche interm diaire de silicium germanium d form (s-SiGe), formant une h t rostructure sur isolant (HOI) au sein du FET CGAA. Ces couches d form es dans le canal confinent efficacement les porteurs quantiques, am liorant ainsi la mobilit des porteurs et r duisant l'abaissement de la tension de seuil.