Desenvolvimento, conceção e análise de um nanossistema hetero-estrangulado do tipo II

Este livro investiga o avan o e a an lise de FETs de canal cil ndrico com porta completa (CGAA). O estudo explora uma conce o escala nanom trica que incorpora tr s camadas tensas ultrafinas: duas camadas exteriores de sil cio tensas (s-Si) e uma camada interm dia de sil cio germ nio tensas (s-SiGe), formando uma heteroestrutura sobre isolador (HOI) no interior do FET CGAA. Estas camadas deformadas no canal confinam efetivamente os portadores qu nticos, aumentando assim a mobilidade dos portadores e reduzindo o roll-off da tens o de limiar.