CMOS SRAM Conception et analyse d'une cellule SRAM à faible fuite et à grande vitesse

Ce travail pr sente une nouvelle cellule SRAM 5T et 6T extr mit unique. Ce transistor est une cellule haute densit ou prend moins de place qu'une cellule SRAM 6T conventionnelle. Le courant de fuite de cette cellule est tr s faible par rapport aux autres cellules 5T ou 6T conventionnelles. Un circuit de pr charge est n cessaire pour cette cellule, comme c'est le cas pour la cellule SRAM 6T conventionnelle. Cette cellule est galement conome en nergie. Les r sultats montrent galement que les donn es stock es dans cette cellule sont tr s stables. Il est toujours possible d'am liorer tout type de circuit ou d'application. La configuration propos e peut tre am lior e l'aide de diverses techniques. Nous pouvons modifier le rapport d'aspect de la cellule pour obtenir de meilleurs r sultats. Nous pouvons appliquer le gating d'horloge pour un circuit conome en nergie. Nous pouvons am liorer le circuit p riph rique pour de meilleures performances.