Amélioration des performances des SRAM FINFET à l'aide de différents matériaux de grille

Ce livre d crit le concept de conception des SRAM dans les technologies FinFET en utilisant les caract ristiques uniques des dispositifs non planaires double grille. L'espace des param tres n cessaires la conception des FinFET sera explor . Diverses techniques de conception de SRAM seront pr sent es en exploitant les avantages des configurations contr l es par des portes li es et des portes ind pendantes. Les performances, la puissance et la stabilit des SRAM pour les dispositifs FinFET sont compar es celles des dispositifs CMOS planaires conventionnels. La mod lisation de la variabilit des FinFET par le biais de statistiques sera galement pr sent e. Le dispositif MOSFET a t compar avec le poly-silicium et le molybd ne comme mat riau de grille et le dispositif FinFET a t con u avec diff rents mat riaux de grille comme l'or, le tungst ne, le tantale et le molybd ne et les r sultats ont t compar s avec les dispositifs mat riau de grille en poly-silicium.